场效应晶体管

场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种半导体器件，具有广泛的应用领域。它是一种三端器件，由源极、漏极和栅极组成。其工作原理基于栅极电场对漏极和源极之间的电荷载流子密度的控制。

当栅极电压为零时，FET处于截止状态，没有电流通过漏极和源极之间的通道。当栅极电压增加时，栅极与漏极之间形成一个反型区域，这个区域中的载流子被吸引到栅极附近，从而减少了通道中的载流子密度。因此，随着栅极电压的增加，通道中的载流子数量减少，导致漏极和源极之间的电阻增加。当栅极电压达到某个特定值时，FET处于饱和状态，此时漏极和源极之间的电阻最小，并且最大电流通过通道。

场效应晶体管在现代电路中发挥着重要的作用。它可以被用作放大器、开关、振荡器等。在放大器中，FET可以提供高输入阻抗和低噪声系数，使其在无线电通信中得到广泛应用。在开关电路中，FET可以实现高速切换，从而提高了开关电路的效率。在振荡器中，FET可以产生高频振荡信号，用于射频通信和雷达系统。